使用TDDFT计算光吸收：

1. Rt-TDDFT in non-periodic system(2): 孤立体系加外场计算吸收谱
2. Rt-TDDFT in periodic system(18): 周期性体系外加矢势和电流计算吸收谱
3. LR-TDDFT(68): 直接求解Casida’s方程组，获得响应函数

使用RPA计算光学性质（已经全部集成到Q-flow）：

1. Module 18: 一阶插值计算高频介电函数
2. Module 38: 二阶插值计算高频介电函数，可考虑非局域势的影响
3. Module 55: 在38的基础上计算复折射率/吸光度/发射系数

1. pw_absorption(39)

THz波，电子/光子学过渡区
动态电荷代替Born有效电荷

1. Infrared spectrum(65)

红外光谱
可求得Born有效电荷

1. Raman(53)

拉曼光谱（非共振）
可求得介电张量变化率

1. Second harmonic generation(62)

计算二次谐波
非线性光学性质
实验用于判断结构的中心反演对称性

1. Large-scale semiconductor(66)

汪老师开发的generate moments method
无需计算本征值就可以得到DOS和吸收谱
计算大体系的光吸收，效率非常高
对更大的体系可先用CPM获得电荷密度

1. Excitronic states in quantum dot(58)

在DFT的基础上，直接求解e-h久期方程
可以计算光吸收和电极化矩阵
可尝试计算三激子（trion）
对更大的体系可以结合CPM
针对量子点的光学性质

光、磁、力学等性质：磁学性质（一）

求解磁交换系数J，可用于分析磁耦合性质，或构造有效哈密顿量进行MC等

1. Module 61: 使用线性响应理论
2. Module 63:使用“四态法”

1. Gilbert dampling constant(60):求解LLG方程的阻尼项系数α

Landau-Lifshitz-Gilbert方程时微磁动力学模拟的核心

求得阻尼系数即可得到LLG方程
用户可使用上述结果结合有限元软件，自己进行微磁学仿真

现代极化理论，基于Berry phase计算周期性体系的极化

1. Module 42：计算Berry phase得到离子钳位极化（电子部分的极化，已集成到Q-flow）
2. Module 43：在42的基础上，根据极化的线性响应，得到Born有效电荷（张量）
3. Module 44：在42和43的基础上，施加应变，求得压电张量
4. Module 69：通过有限小电场得到Born有效电荷（同65），进而得到离子介电函数

以位移型铁电体为例，计算不同位移的极化和能量可以帮助拟合GL方程，辅助后期的相场等模拟
介电常数和压电张量是现代陶瓷材料的重要性能指标，结合（28）甚至可以尝试模拟二者随温度的变化
69计算的虚部可以用来覆盖65的红外光谱

1. ELPWmat(5)：基于PWmat开发的开源程序

弹性常数
柔顺常数
杨氏模量/体模量/剪切模量
泊松比
也可以对二维材料使用，此时泊松比等概念变为面内。