1. Defect Level(6)

计算缺陷形成能（生成焓）
通过带电缺陷费米能级的shift评估缺陷化合价
包含最简单的势能修正
用户可根据需要修改化学势/引入PV等
以下引入两种针对长程库伦相互作用的修正方法

1. Double box correction(49)

增加一个box，计算截断前后的能量差

1. TRSM(32)

消除低维带电体系中凝胶模型的发散

1. Defect Nonradiative Decay(13)

计算缺陷诱导的载流子非辐射复合速率
特定电子态的电声耦合系数
利用黄昆公式，在简谐近似下求解

1. Anharmonic nonradiative transition(45)

计算深杂质中心的非辐射载流子俘获
考虑局域声子模式，计算活化势垒
给黄昆公式加入多声子跃迁修正

1. Charge trapping calculation(19)

以SiO2的双O空位体系为例计算空穴的跳跃速率
DFT+Marcus理论
可以拓展到Si/无定型SiO2界面的电荷俘获
有助于人们理解CMOS晶体管