===== 缺陷性质 =====

==== 缺陷性质：缺陷能级与修正 ====
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  - Defect Level(6)

> 计算缺陷形成能（生成焓）
> 通过带电缺陷费米能级的shift评估缺陷化合价
> 包含最简单的势能修正
> 用户可根据需要修改化学势/引入PV等
> 以下引入两种针对长程库伦相互作用的修正方法

  - Double box correction(49)

> 增加一个box，计算截断前后的能量差

  - TRSM(32)

> 消除低维带电体系中凝胶模型的发散
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==== 缺陷性质：载流子非辐射复合 ====
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  - Defect Nonradiative Decay(13)

> 计算缺陷诱导的载流子非辐射复合速率
> 特定电子态的电声耦合系数
> 利用黄昆公式，在简谐近似下求解

  - Anharmonic nonradiative transition(45)

> 计算深杂质中心的非辐射载流子俘获
> 考虑局域声子模式，计算活化势垒
> 给黄昆公式加入多声子跃迁修正
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==== 缺陷性质：电荷俘获过程 ====
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  - Charge trapping calculation(19)

> 以SiO2的双O空位体系为例计算空穴的跳跃速率
> DFT+Marcus理论
> 可以拓展到Si/无定型SiO2界面的电荷俘获
> 有助于人们理解CMOS晶体管
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